（國家高新企業）
語言版本：
服務熱線
深圳市昂科技術有限公司（股票代碼：873207），專業的 IC 燒錄器製造商，推出了 Universal Flash Storage (UFS) 專用的工程型與量產型燒錄器，以及自動化燒錄設備。新推出的新一代燒錄器整合了 UFS 系統設計與應用，適用於研發、產品驗證及工廠小批量和大批量生產需求。低功耗、高性能的可靠存儲UFS 是一種專為需要最低功耗的智能手機與平板電腦等計算及移動系統設計的先進高性能接口。 eUFS...
深圳市昂科技術有限公司，專業的 IC 燒錄器製造商，推出了 Universal Flash Storage (UFS) 專用的工程型與量產型燒錄器，以及自動化燒錄設備。新推出的新一代燒錄器整合了 UFS 系統設計與應用，適用於研發、產品驗證及工廠小批量和大批量生產需求。 2018年1月，UFS 3.0正式發布。作為UFS 2.0和2.1的迭代升級產品，UFS 3.0在性能上帶來了非常顯著的提升和進步。不過，...
快閃存儲器（英語：Flash Memory），是一種電子式可清除程序化只讀存儲器的形式，允許在操作中被多次擦或寫的存儲器。這種科技主要用於一般性數據存儲，以及在電腦與其他數字產品間交換傳輸數據，如儲存卡與U盤。閃存是非易失性的存儲器，所以單就保存數據而言, 它是不需要消耗電力的。與硬盤相比，閃存也有更佳的動態抗震性。這些特性正是閃存被移動設備廣泛採用的原因。閃存還有一項特性：...
非易失性存儲元件有很多種，如EPROM、EEPROM、NOR FLASH和NAND FLASH，前兩者已經基本被淘汰了，因此我僅關注後兩者，本文對FLASH的基本存儲單元結構、寫操作、擦除操作和讀操作的技術進行了簡單介紹，對了NOR和NAND由存儲結構決定的特性和應用場合的差異，對後續的硬件設計和驅動編程起到鋪墊作用。 1 FLASH基本存儲單元---浮柵場效應管 NOR FLASH和NAND FLASH都是使用浮柵場效應管(Floati...
這個時候發這篇文章難免有蹭熱點的嫌疑。但作為一個計算機體系結構的研究生，在這些名詞滿天飛的時候，我的好奇心是抑制不住的，想一探這幾樣技術的究竟。本文不對某一特定事件進行點評，僅從技術角度分析對比一下這三種技術。就算是當做自己的技術儲備+科普了。首先，這三種技術都是屬於閃存（Flash Memory）的不同種類，區別主要在於控制器，接口標準以及更底層的 Flash 芯片標準。它們在...
NandFlash存儲器由多個Block組成，每一個Block又由多個Page組成，Page的大小一般為2K+64Bytes或512+16Bytes。 Page是讀取和編程的基本單位，而擦除的基本單位是Block。圖1 NAND Flash的存儲結果NAND Flash的頁，包含主區（Main Area）和備用區（Spare Area）兩個域，“主區”中有512*8（或256*16）或2048*8（或1024*16）個位，“備用區”中有16*8（或8*16）或64*8（或32*16）個位，這樣每一頁...
剖析NAND Flash的編程結構上一篇文章我們介紹了NAND Flash和NOR Flash的區別，從結構及原理上看，NOR Flash這種類似ROM的結構方式，使得他編程簡單，所以使用的工程師也很多，要不是成本太高，NAND Flash根本無法生存。 NAND Flash由於價格低廉，存儲容量大，越來越受到消費者的喜愛，特別是需要存儲大量數據的消費者。那NAND Flash的編程又要注意哪些呢？分區（Partition）定義分區的實質是...
親，掃一掃添加微信為好友
QQ客服
服務電話
關注微信
返回頂部
