上一篇文章我们介绍了NAND Flash和NOR Flash的区别，从结构及原理上看，NOR Flash这种类似ROM的结构方式，使得他编程简单，所以使用的工程师也很多，要不是成本太高，NAND Flash根本无法生存。

NAND Flash由于价格低廉，存储容量大，越来越受到消费者的喜爱，特别是需要存储大量数据的消费者。那NAND Flash的编程又要注意哪些呢？

定义分区的实质是定义数据会如何写入NAND Flash，不同内容的数据写到对应的地址中。一般用户会有多个区，比如boot、kernel、fs、user等分区。

分区的描述：分区的地址范围（起始块、结束块），镜像文件大小（Image Size）。

分区的数据存储：镜像文件是从分区的起始块开始存放，如果分区中有坏块，将使用坏块处理策略替换坏块，直到镜像文件结束，如果分区中不够好块存放镜像文件，则烧录失败。

如下图是跳过坏块的镜像文件分区烧写示意图：

備用區（OOB）的ECC

ECC 存在於NAND 每頁的備用區（Spare Area）中，它允許外部系統發現主區的數據是否有誤。在大多數情況下，ECC 算法可以糾正誤碼，NandFlash在使用中也可能會出現壞塊，所以ECC是非常有必要的。

不同的用戶會可能會使用不同的ECC算法，一般來說ECC算法由處理器供應商提供，如果編程器軟件中無這個ECC算法，則需要用戶提供ECC算法源代碼。

如果用戶不使用調入文件，而是使用讀母片的方式燒錄，並且無動態數據，則可以不考慮ECC算法，因為母片中的備用區已計算好ECC，直接將母片的備用區拷貝至其他芯片即可。

壞塊管理（Bad Block Management）

壞塊處理策略定義了在遇到壞塊時算法應該如何處理，基本的壞塊處理策略有：跳過壞塊、替換錶（預留塊區Reserve BlockArea，RBA）等等。

● 硬拷貝

硬拷貝其實就是遇到壞塊什麼都不處理，不管好塊還是壞塊直接燒寫，即使校驗數據不一致也不報錯；

● 跳過壞塊

跳過壞塊就是遇到壞塊跳到下一個好塊燒；

● 替換錶

就是預留一些塊作為保留塊，是用於替換壞塊用，當遇到壞塊時，在保留區中選一個塊來替換，將原來寫到壞塊的數據寫到替換塊中。

● BBT（Bad block table）

其實就是使用跳過壞塊，然後在Nand閃存指定位置寫入一個壞塊表（Bad block table），下圖是BBT的結構圖。