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UFS 3.0讀寫測試數據曝光:秒殺UFS 2.1和eMMC

時間:2020-11-21   訪問量:1196

深圳市昂科技術有限公司,專業的 IC 燒錄器製造商,推出了 Universal Flash Storage (UFS) 專用的工程型與量產型燒錄器,以及自動化燒錄設備。新推出的新一代燒錄器整合了 UFS 系統設計與應用,適用於研發、產品驗證及工廠小批量和大批量生產需求。

         2018年1月,UFS 3.0正式發布。作為UFS 2.0和2.1的迭代升級產品,UFS 3.0在性能上帶來了非常顯著的提升和進步。不過,目前這款閃存並沒有正式商用,所以關於他的實際性能我們無從得知。

日前,網絡上曝光了一張1TB UFS 3.0閃存的Androbench讀寫測試記錄截圖。

從這份記錄中,我們可以明顯的看到UFS 3.0的順序讀取速度達到了2279.8MB/s,順序寫入速度達到了1801.1MB/s。按照目前UFS 2.1普遍的700-800MB/s順序讀取速度來看,基本是2-3倍了。

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不過UFS 3.0的4K隨讀和隨寫的成績和現有的UFS 2.1差別並不大,不排除還有優化空間的可能性。

根據先前的介紹,UFS(即通用閃存存儲)3.0主打高性能、低功耗,它是首個引入了MIPI M-PHY HS-Gear4標準的閃存,單通道帶寬高達23.2Gbps,是UFS 2.0/2.1的兩倍。

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另外,UFS 3.0支持更多分區,糾錯的能力升級,電壓達到2.5V,並支持最新的NANG Flash介質。

2019年的主流旗艦芯片都支持UFS 3.0,目前已經確定高通驍龍855和三星Exynos 9820能夠兼容這一全新的閃存規格。三星也曾表示預計將會在今年上半年推出搭載UFS 3.0閃存的機型。目前推測,三星Galaxy S10系列應該會有一款產品,採用的是UFS 3.0規格閃存,可能是頂配的S10+ 5G版本。

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先前台灣廠商群聯電子(Phison)曾公佈在UFS閃存上的研發進程。群聯的UFS 2.1分為2代產品,吞吐量分別為800MB/s和1333MB/s,而最新的UFS 3.0的吞吐量更是高達2666MB/s,相比UFS 2.1基本是成倍增長。

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看樣子,UFS 3.0的產品真正推出,可能還需要一段時間,但其實際表現應該會大幅超過現有的UFS 2.1產品,我們不妨期待一下。



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